半導体用ウェーハのお問い合わせは是非当社へ。

「化合物半導体ウェーハ」

化合物半導体ウェーハも各種取り扱っております。

*シリコンゲルマニウムエピ(SiGe Epi) :シリコン基板やSOI基板上にシリコンゲルマエピ（Ge含有率20-60%)も可能です。
　
*ゲルマニウムエピ（GeEpi）：4インチ、6インチ、8インチ　基板にSOIを使用することも可能です。　

*ガリウムヒ素（GaAs）：2インチから6インチ

*ガリウム燐（GaP）：2インチ

*インジウム燐（InP）：3インチ、4インチ対応可能。3インチ：CC範囲：0.8〜4E18�p3、EPD500以下/cm2

*インジウムアンチモン（InSb）：2インチ

*酸化亜鉛（ZnO）：サイズ20mm x 20mm、10mm x 10mm、5mm x 5mm等

*酸化マグネシウム（MgO）：2インチ

*インジウムヒ素（InAs）：2インチ

*ガリウムアンチモン（GaSb）：2インチから4インチ

*ナイトライドエピ（Nitride EPI）：4インチから8インチ

*テルル化亜鉛カドミウム（CdZnTe）：2インチから4インチ

*ガリウムインジウム燐（GaInP）：2インチから6インチ

その他：GaAlAs、LaAlO3、Al2O3、LAO、LiNbO3、 CdTe、LiTaO3、LN、ZnSe　等


化合物半導体エピウェーハ

MOCVDにて、直径は2, 3, 4, 6inchの成膜が可能です。
膜厚は薄いものから20umの厚膜まで、エピ膜の濃度は2E14/cm3以下のノンドープまで仕様によって対応可能です。

GaAs基板：AlGaAs/GaAs, GaAsP/GaAs, InGaAs/AlGaAs/GaAs, InAs/GaAs, AlGaAs/GaAs
InP基板：InGaAsP/InP, InGaAs/InP, InGaAsP/InP, InAlGaAs/InP, InAlAs/InGaAs/InP

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